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电子元器件详细资料 » IC[20231] » IPB100N06S3-04
型号:IPB100N06S3-04类别:FET - 单制造商:Infineon Technologies
封装:TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB描述:MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

详细参数

类别FET - 单
描述MOSFET N-CH 55V 100A TO-263
系列OptiMOS™
制造商Infineon Technologies
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)55V
电流_连续漏极(Id)0a025000C100A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C4.1 毫欧 @ 80A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224V @ 150µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs314nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds14230pF @ 25V
功率_最大214W
安装类型表面贴装
封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装PG-TO263-3
包装带卷 (TR)

供应商

现代芯城(深圳)科技有限公司董0755-82542579
深圳和润天下电子科技有限公司张小姐0755-83798683
深圳市晶美隆科技有限公司李林0755- 82519391 0755-83209630
深圳市富乐亚科技有限公司郑小姐0755-18503085056
深圳市华斯顿电子科技有限公司朱咸华0755-83777708/83777607/82799993
深圳市芯福林电子科技有限公司张女士0755-82574045
深圳市正信鑫科技有限公司小邹0755-22655674/15099917285
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IPB100N06S3-04相关型号

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